Complex oxide, and production process therefor and applications thereof

阅读量:

8

申请(专利)号:

US10717483

申请日期:

20031121

公开/公告号:

US07186393B2

公开/公告日期:

20070306

申请(专利权)人:

Hisao Kogoi Jun Tanaka Hiroyuki Hagihara

发明人:

H KogoiJ TanakaH Hagihara

展开

国省代号:

JP,JP,JP

被引量:

5

摘要:

The present invention relates to a complex oxide having a BET specific surface area of about 10 to about 200 m/g, comprising zinc oxide as a primary component, containing crystalline structures of both zinc oxide and silica, and exhibiting diffraction peaks in lattice planes (), (), and (), which are X-ray crystallographically specific to diffraction peaks of crystalline zinc oxide, and in a lattice plane () which is X-ray crystallographically specific to the diffraction peak of crystalline silica.

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